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栅极电阻电荷Vishay Siliconix推出新款N沟道功率MOSFET

2010 年 11 月 4 日,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET—— SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。

栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC,是业界此类器件当中最低的。

SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技术制造,这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中承受高能脉冲进行了有针对性的处理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试。

新款功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周到十二周。

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