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纳米产品存储器海力士转换NAND Flash制程 主打26纳米产品

韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群,近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量,以26纳米制程产品比重逾50%为最大。

海力士相关人员表示,26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品,成为海力士主力产品。

NAND Flash为非挥发性存储器芯片,即使中断供电也能储存信息,是智能型手机、平板计算机等行动装置的主要存储器。若采用26纳米制程生产的NAND Flash,可缩减单一晶圆生产的半导体尺寸,生产性较32纳米制程提升60%以上。

尤其26纳米制程在生产32Gb和64Gb等高容量NAND Flash产品时,较32纳米制程更有利,可积极应对近来以行动装置为中心暴增的存储器需求趋势。

海力士目前正在忠清北道清州厂增建NAND Flash专用厂M11,而M11大部分为26纳米制程设备。海力士相关人员表示,海力士2011年将会致力强化NAND Flash竞争力,在转换至26纳米制程后,计划2011年下半开始投入20纳米制程NAND Flash量产。

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