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新产品功率电阻ST新推250A表面安装的功率MOSFET,具有最低导通电阻

意法半导体(ST)宣布推出一款250A表面安装的功率MOSFET,新产品STV250N55F3据称拥有市场上最低的导通电阻,可将功率转换的损耗降至最低,并且能够提升系统的性能。

新产品STV250N55F3是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET,拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III的其它优点包括︰开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外,九线的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时,封装的额定功率为300W。

新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的MOSFET,达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F3适用于高达55V的应用。

高达175℃的工作温度使STV250N55F3适用于高电流的电力牵引设备,如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试,可确保芯片的可靠性和稳固性。

在同一个系列产品,ST还有一款55V的产品STV200N55F3,此产品的额定连续汲极电流为200A,且其源极联机配置为4线。STV250N55F3样品已供应中,预计于2008年第3季开始量产。
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