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三星内存手机UBM最新拆解:神秘手机惊现PCM(图)

非易失性相变内存(phase-change memory,PCM)已经悄悄现身在手机产品中?根据工程顾问机构UBM TechInsights的一份拆解分析报告,发现在某款神秘手机中,有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package,MCP)内存,内含与NOR闪存兼容的非易失性相变内存芯片。

TechInsights拆解的手机产品,基于客户机密不透露型号与厂牌;该机构表示,要等到与客户之间的工作告一段落,才能公布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时透露,该公司将在第二季出货一款内含512Mbit非易失性相变内存芯片的MCP;当时三星并未透露该产品将采用哪种制程技术,仅表示该产品“相当于40纳米NOR闪存。”

业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存;而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度(如下图),是每微米(micron)8个记忆单元(cell),就证实了以上的猜测。

UBM最新拆解:神秘手机惊现PCM(电子工程专辑)
三星512Mbit相变化RAM的横切面

现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx),在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit非易失性相变内存,并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世;但是到目前为止,该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45纳米制程的1Gbit非易失性相变内存,但这款原本预期今年上市的产品,迄今也未有后续消息。

UBM TechInsights已经确认,三星的512Mbit相变化RAM(PRAM)芯片,商标号码为KPS1N15EZA,与一颗128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封装在一起,并应用于手机产品中。该款三星的PRAM芯片由4层铝互连层与内存元素所组成,顶部与底部的电极(electrode contacts)是装置在铝金属与硅基板之间。

UBM最新拆解:神秘手机惊现PCM(电子工程专辑)
内含PCM的MCP内存外观

“最近业界对非易失性相变内存技术的微缩极限有争议,再加上恒忆的产品延迟量产,让人质疑PRAM是否真能接班成为新一代内存;”UBM TechInsights资深顾问Young Choi表示:“对非易失性相变内存已经应用在手机的发现,清楚表明了产品设计工程师已经开始使用这种具潜力的技术。”

UBM最新拆解:神秘手机惊现PCM(电子工程专辑)
包含非易失性相变内存MCP的手机主板拆解图

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