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支出资本英特尔半导体行业资本支出 明年仍将续航

虽然全球各大半导体厂尚未公布2011年资本支出金额,但市调机构Gartner预估明年半导体厂资本支出仍将维持高档,其中三星电子仍是全球资本支出金额最高业者,预计将达92亿美元,台积电则以57亿美元位居全球资本支出第2高业者,连续2年赢过英特尔。

而在资本支出排名前10大厂中,内存厂占了6位,晶圆代工厂占了3位,IDM厂仅剩下英特尔1家。

在2004年以前,全球资本支出金额前10大的半导体厂多以IDM厂为主,包括老牌的德仪、IBM、日本瑞萨、英特尔、超威等业者。

但2008年底的金融海啸发生后,IDM厂加速进行资产轻减(asset-lite),关闭旗下旧有6吋或8吋厂,同时也停止独立开发先进制程技术,改与晶圆代工厂进行合作,于是2010年至2011年的这2年内,资本支出前10大厂排名已出现洗牌。

根据Gartner预估,半导体厂在2010年的大幅投资后,2011年仍会维持在高档,但是整个支出规模将由2010年的539亿美元,至2011年小幅下降5%至511亿美元。

而在资本支出金额前10大厂中,三星电子对于DRAM、NAND、晶圆代工、自有芯片等生产线均大幅扩充产能,所以明年仍是全球资本支出最高的半导体厂,预计金额将达92亿美元。

晶圆代工龙头台积电今年资本支出约59亿美元,虽然市调机构预估明年资本支出将达57亿美元,不过台积电董事长张忠谋日前已透露,明年资本支出金额可能高于今年。但由此来看,台积电已连续2年挤下英特尔,成为全球资本支出第2大的半导体厂。

英特尔今年资本支出维持52亿美元,明年因为要扩大22奈米世代制程产能,预估明年资本支出仍会维持在50亿美元。

而台积电最大竞争对手全球晶圆(GlobalFoundries)今年资本支出约25亿美元,明年因为位于纽约的12吋厂将开始装机,且要提高22/20奈米的技术研发费用,因此预估明年资本支出将提升至32亿美元规模。

然而值得注意之处,是明年资本支出前10大厂中,内存厂就占了6家,代表明年DRAM及NAND市场产能仍可能处于供过于求的情况,DRAM及NAND价格恐会有持续下跌压力。而IDM厂仅剩英特尔1家,但晶圆代工厂占了3家,则代表IDM厂后续委外代工比重将会提升,对台积电、联电等将是利多消息。

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