av4机床

栅极时间驱动器Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449

Linear推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。

LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极,以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5A 电流和提供 3.2A 电流,从而使该器件非常适用于驱动高栅极电容和大电流 MOSFET。它还可以驱动多个并联的 MOSFET,以实现更大电流的应用。当驱动一个 3000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 7ns 下降时间、低端 MOSFET 的 7ns 上升时间和 4ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端 MOSFET 同时导通,同时最大限度地缩短死区时间。

对用于电源级控制和停机的调制 (PWM) 输入来说,LTC4449 提供一个 3 态脉冲,这与所有利用 3 态输出功能的多相控制器兼容。此外,LTC4449 有一个单独的电源用于输入逻辑,以匹配控制器 IC 的信号摆幅、以及驱动器电源和逻辑电源上的欠压闭锁电路。

LTC4449EDCB 采用 2mm x 3mm DFN-8 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.25 美元。工业级版本 LTC4449IDCB 在 -40ºC 至 125ºC 的工作结温范围内工作是有保证的,千片批购价为每片 1.39 美元。所有版本都有现货供应。

性能概要:LTC4449

同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

4V 至 6.5V 栅极驱动 VCC电压

38V 最高电源电压

自适应贯通保护

3 态 PWM 输入用于电源级控制

大驱动电流:提供 3.2A,吸收 4.5A

高端栅极:当驱动 3000pF 负载时,8ns 上升时间,7ns 下降时间

低端栅极:当驱动 3000pF 负载时,7ns 上升时间,4ns 下降时间

2mm x 3mm DFN-8 封装

0.47655200958252 s