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三星纳米量产尔必达技术宣言紧咬三星 20nm世代量产拉近

尔必达(Elpida)曾在2011年第2季中因为抢先宣布成功开发25纳米制程DRAM芯片,差点与一向技术领先的三星电子(Samsung Electronics)擦枪走火!三星半导体事业部社长权五铉曾表示,尔必达25纳米DRAM是否能量产要再观察;巧合的是,三星22日公开宣布20纳米DDR3正式量产后,尔必达晚间立刻公布其25纳米4GbDDR3将会于年底量产,颇有互相叫阵的意味。

在全球4大DRAM阵营中,三星受惠于2008年底全球金融风暴所造成的奇梦达(Qimonda)倒闭和台厂势力削弱,市占率一举站上40%大关。而制程技术上,三星一向都是领先竞争对手一个世代,至少1年以上的技术差距,但偏偏遇上不甘示弱的尔必达,在2011年以来,双方常为了制程技术的宣示时间点而擦枪走火。

2011年中,尔必达表示其25纳米制程开发完成,也大张旗鼓的对外宣布,曾引发三星不满,因为外界一度以为三星的制程技术落后尔必达,当时权五铉表示,当尔必达生产50纳米DRAM时,三星已经在生产40纳米和35纳米产品,虽然2009年尔必达也宣布成功开发40纳米产品,但似乎并未在市面上大量见到,然三星一直以来的作法,都是「成功开发」和「量产」宣言同时发布。

三星继表态不减产后,22日更宣布新12吋晶圆厂Line-16开始运作,将生产NANDFlash芯片,更宣示其20纳米制程的DDR3已开始量产。

业界认为,三星此一宣言,让台厂与三星之间的技术制程差距,由过去的1~1.5个世代距离,拉锯到2个世代甚至超过,对比台厂中除了瑞晶已全数转进40纳米,且目前25%产能已开始转进30纳米外,其他如南亚科、华亚科、力晶等,都正处于转进40纳米的过程,然三星却一举跳到20纳米制程,让台厂再度觉得很受伤。

不过业界也认为,三星的20纳米要真正见到大量,至少也要到2012年,产能不可能一下子全转到20纳米制程。

然有趣的是,三星20纳米制程量产一宣布,尔必达马上抢在晚间公布25纳米制程4GbDDR3也预计会在12月开始试产,并同时量产出货,尔必达公布的时间点如此之亦步亦趋,颇有与三星一较高下的意味。

业界认为,新制程技术的公布试产和量产,与真正大量出货的时间点仍是会有落差,但其中技术宣示的意味就显得相当重要。

业界进一步分析,尔必达有别于一般日系业者保守作风,近期在战术策略上常常是紧咬龙头三星,虽然业界都了解其实三星的制程仍是处于较领先的地位,但面对尔必达如此积极地的战略宣示,看在业界眼里则是格外有趣,反观全球二哥海力士(Hynix)则是静悄悄,而美光(Micron)近期似乎对于NAND Flash市场着墨较多,三星与尔必达的叫阵,反而意外擦出火花。

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