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存储器芯片加州Rambus控告海力士与美光共谋排挤 索赔129亿美元

根据彭博(Bloomberg)报导,美国存储器业者Rambus于美国时间20日向加州一家法院提起反柯断诉讼,该公司指控韩国存储器业者海力士(Hynix)与美国存储器厂商美光(Micron)2厂非法共谋,意欲将Rambus排挤出存储器芯片市场。

Rambus指控海力士与美光共谋侵害Rambus所设计的DRAM,亦即RDRAM的专利权,因此向2公司索取损害赔偿129亿美元。该公司表示,根据加州法律,Rambus原先所提出的43亿美元求偿金额,将自动增加2倍,达到129亿美元,但2家被告公司否认了上述的指控。

Rambus律师代表BartWilliams向庭上表示,海力士与美光涉嫌参与非法共谋,藉著扼杀掉Rambus所创新的一种革命性技术,牟取数10亿美元的利益,以保持其市场优势地位。

Rambus律师代表指出,海力士与美光的此番共谋显然已经奏效,导致RDRAM非但未能大获全胜、成为下一代产业标准,反而只能局限于较小的市场规模。按照规画,海力士与美光的律师代表将于次日向庭上提出抗辩。

Rambus指控海力士和美光一起哄抬RDRAM芯片的售价,并压低自家的SDRAM和DDR芯片的价格,藉此削弱Rambus产品的价格竞争力。

不过,美光法律总顾问RodLewis则表示,Rambus仍然企图将自己在市场上的失败归咎于第三方,他指出,RDRAM芯片之所以未能成功,是因为存在技术缺陷、效率较低、生产和执行的成本较高。RDRAM芯片最终被证明只能适合于小众市场,而不适合PC、笔记本电脑(NB)和平板计算机等大众市场。至于海力士发言人,则尚未就此置评。

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